NUD3112DMT1G

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NUD3112DMT1G
科创特电子（香港）有限公司
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联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
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主营优势
1915
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功能描述
MOSFET 12V Industrial Relay Inductive Load
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

NUD3112DMT1G 技术参数

NUD3112DMT1 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3105LT1G 功能描述:MOSFET 8V Inductive Load RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3105LT1 功能描述:MOSFET 8V Inductive Load RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3105DMT1G 功能描述:MOSFET 5V Dual Integrated Relay Inductive Load RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3105DMT1 功能描述:MOSFET 5V Dual Integrated RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUD3160LT1G NUD4001DEVB NUD4001DGEVB NUD4001DR2 NUD4001DR2G NUD4011DR2 NUD4011DR2G NUD4301MNT1G NUD4700SNT1G NUD4700WSNT1G NUE NUF2015W1T2G NUF2030XV6T1 NUF2030XV6T1G NUF2042XV6T1 NUF2042XV6T1G NUF2070MNT1G NUF2101MT1