PUMD2

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
NPN|PNP 50V 100mA Bulk
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANSISTOR DIGITAL DUAL SOT-363
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363

PUMD2 技术参数

PUMD18,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MD18 标准包装:1 PUMD17,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:22 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMD16,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:22 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MD16 标准包装:1 PUMD15,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMD13,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MD13 标准包装:1 PUMD3,135 PUMD3,165 PUMD30,115 PUMD4,115 PUMD48,115 PUMD48,125 PUMD48,165 PUMD6,115 PUMD6,125 PUMD6,135 PUMD6/ZLF PUMD6/ZLX PUMD9,115 PUMD9,135 PUMD9,165 PUME925-3E-C350 PUME925-4E-C350 PUME925-D350