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S29AL008J55TFIR20

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  • 功能描述
  • 闪存 8M 3V 55ns Parallel NOR 闪存
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 数据总线宽度
  • 1 bit
  • 存储类型
  • Flash
  • 存储容量
  • 2 MB
  • 结构
  • 256 K x 8
  • 定时类型
  • 接口类型
  • SPI
  • 访问时间
  • 电源电压-最大
  • 3.6 V
  • 电源电压-最小
  • 2.3 V
  • 最大工作电流
  • 15 mA
  • 工作温度
  • - 40 C to + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 封装
  • Reel
S29AL008J55TFIR20 技术参数
  • S29AL008J55TFIR10 功能描述:闪存 8Mb 3V 55ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29AL008J55BFIR22 功能描述:IC FLASH 8MBIT 55NS 48FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:AL-J 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:8Mb (1M x 8,512K x 16) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标准包装:1 S29AL008J55BFIR20 功能描述:闪存 8M 3V 55ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29AL008J55BFIR10 功能描述:闪存 8M 3V 55ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S28B-PUDSS-1(LF)(SN) 功能描述:28 位 接头,有罩 连接器 0.079"(2.00mm) 通孔,直角 锡 制造商:jst sales america inc. 系列:PUD 包装:散装 零件状态:有效 触头类型:公形引脚 连接器类型:接头,有罩 针脚数:28 加载的针脚数:全部 间距:0.079"(2.00mm) 排数:2 排距:0.079"(2.00mm) 触头配接长度:- 安装类型:通孔,直角 端接:焊接 紧固类型:锁存器支座 特性:板导轨 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 颜色:自然色 标准包装:1,100 S29AL008J70BFI010 S29AL008J70BFI013 S29AL008J70BFI020 S29AL008J70BFI022 S29AL008J70BFI023 S29AL008J70BFIC20E S29AL008J70BFM020 S29AL008J70BFM023 S29AL008J70BFN010 S29AL008J70BFN020 S29AL008J70BFN023 S29AL008J70SFI010 S29AL008J70TFA020 S29AL008J70TFA023 S29AL008J70TFI010 S29AL008J70TFI013 S29AL008J70TFI020 S29AL008J70TFI023
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