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SI1555DL-T1-E3

配单专家企业名单
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
SI1555DL-T1-E3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET 20/8 0.7/0.6
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
SI1555DL-T1-E3 技术参数
  • SI1153-AA9X-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-LLGA 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:环境,手势 波长:525nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.62 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-LLGA 供应商器件封装:10-LGA(4.90x2.85) 标准包装:1 SI1153-AA09-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:环境,手势 波长:525nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.62 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-WFQFN 供应商器件封装:10-DFN(2x2) 标准包装:1 SI1153-AA00-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:环境,手势 波长:525nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.62 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-WFQFN 供应商器件封装:10-DFN(2x2) 标准包装:1 SI1147-M01-GMR 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:IR 波长:850nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-SMD 模块(无引线) 供应商器件封装:10-QFN(4.9x2.9) 标准包装:1 SI1147-M01-EVB 功能描述:Si1145-M01, Si1146-M01, Si1147-M01 - Light and Proximity Sensor Evaluation Board 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:有效 传感器类型:光线和近程 感应范围:- 接口:I2C 灵敏度:- 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 嵌入式:- 所含物品:2 板,线缆 使用的 IC/零件:Si1145-M01,Si1146-M01,Si1147-M01 标准包装:1 SI1865DL-T1-E3 SI1865DL-T1-GE3 SI1867DL-T1-E3 SI1867DL-T1-GE3 SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-GE3 SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-GE3 SI1903DL-T1-E3 SI1903DL-T1-GE3 SI1905BDH-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 SI1912EDH-T1-E3 SI1913DH-T1-E3 SI1913EDH-T1-E3
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