您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 > S字母第1690页 >

SI2325DS-T1-E3

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • SI2325DS-T1-E3
    SI2325DS-T1-E3

    SI2325DS-T1-E3

  • 深圳市桂鹏科技有限公司
    深圳市桂鹏科技有限公司

    联系人:田小姐/高先生/李小姐

    电话:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D(地王大厦周边)

    资质:营业执照

  • 82810298

  • VISHAY

  • SOT-23

  • 15+

  • -
  • 深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

  • SI2325DS-T1-E3
    SI2325DS-T1-E3

    SI2325DS-T1-E3

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:13168731828

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515

    资质:营业执照

  • 33000

  • VISHAY

  • SOT-23

  • 21+

  • -
  • 全新原装,公司现货

  • SI2325DS-T1-E3
    SI2325DS-T1-E3

    SI2325DS-T1-E3

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • VISHAY

  • SOT3

  • 18+

  • -
  • 原装正品,欢迎订购

  • SI2325DS-T1-E3
    SI2325DS-T1-E3

    SI2325DS-T1-E3

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 2970

  • VIS

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 0.35518 USD,szpoweri...

SI2325DS-T1-E3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET 150V 0.69A 0.75W
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
SI2325DS-T1-E3 技术参数
  • SI2304DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):117 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):195pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 SI2302DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 3.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):650mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 SI2196-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:WORLDWIDE HYBRID ANALOG AND DIGITAL TV TUNER WITH ANALOG VID - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN SI2196-A10-GM 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器 系列:* 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 标准包装:50 系列:* 频率:850MHz ~ 2.175GHz 灵敏度:- 数据传输率 - 最大:- 调制或协议:- 应用:* 电流 - 接收:* 数据接口:PCB,表面贴装 存储容量:- 天线连接器:PCB,表面贴装 特点:- 电源电压:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘 供应商设备封装:40-TQFN-EP(6x6) 包装:托盘 SI2185-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:HYBRID DIGITAL AND ANALOG TV RECEIVER FOR DVB-T/C, PAL/SECAM - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN SI2333CDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-GE3 SI2333-TP SI2334DS-T1-GE3 SI2335DS-T1-E3 SI2335DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 SI2341DS-T1-E3 SI2341DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 SI2343DS-T1 SI2343DS-T1-E3
配单专家

在采购SI2325DS-T1-E3进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买SI2325DS-T1-E3产品风险,建议您在购买SI2325DS-T1-E3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的SI2325DS-T1-E3信息由会员自行提供,SI2325DS-T1-E3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号