STB7102TR

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功能描述
射频放大器 UHF Low Buffer Amp
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
类型
Low Noise Amplifier
工作频率
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB
18.5 dBm
输出截获点
37.5 dBm
功率增益类型
32 dB
噪声系数
0.85 dB
工作电源电压
5 V
电源电流
125 mA
测试频率
2.6 GHz
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Reel

STB7102TR 技术参数

STB70NFS03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1440pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 STB70NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1440pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7N52K3 STB7NK80Z-1 STB7NK80ZT4 STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4 STB80NF10T4 STB80NF55-06-1 STB80NF55-06T4 STB80NF55-08-1 STB80NF55-08AG STB80NF55-08T4 STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-08-1 STB80PF55T4 STB85NF3LLT4