STD30PF03L_代理商_批发/采购【买卖IC网】STD30PF03L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STD30PF03LT4
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
2500
STM
TO-252-3 (DPAK)
18+
-
瑞智芯只有原装

STD30PF03LT4
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920317727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ST
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

STD30PF03L-1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3321
ST
TO-251
2219+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STD30PF03LT4
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
2500
STM
TO-252-3 (DPAK)
18+
-
只做原装，型号齐全，价格优惠。

STD30PF03LT4
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
STM
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

STD30PF03L MOS(场效应管)
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
ST/意法
TO-252
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

STD30PF03L
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-83789203多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
IPAK TO-251; TO 252 DPAK
ST
17+
-
原装正品。优势供应

STD30PF03LT4
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-83789203多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
ST
TO-252
18+
-
优势库存，原装现货

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

STD30PF03L 技术参数

STD30NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1750pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD30NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD30NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1750pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD30NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:830pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:2,500 STD30N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD36NH02L STD36P4LLF6 STD37P3H6AG STD38NH02L-1 STD38NH02LT4 STD3LN62K3 STD3LN80K5 STD3N40K3 STD3N62K3 STD3N80K5 STD3NK100Z STD3NK50Z-1 STD3NK50ZT4 STD3NK60Z-1 STD3NK60ZD STD3NK60ZT4 STD3NK80Z-1 STD3NK80ZT4