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STD5406NT4G

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  • 操作
STD5406NT4G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET NFET 40V SPCL TR
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STD5406NT4G 技术参数
  • STD52P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 52A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):52A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD5200TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.6V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STD5150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.41V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STD5100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:120μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD5N60DM2 STD5N60M2 STD5N62K3 STD5N80K5 STD5N95K3 STD5N95K5 STD5NK40Z-1 STD5NK40ZT4 STD5NK50Z-1 STD5NK50ZT4 STD5NK52ZD STD5NK52ZD-1 STD5NK60ZT4 STD5NM50T4 STD5NM60-1 STD5NM60T4 STD60N3LH5 STD60N55F3
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