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STN1NK60Z

配单专家企业名单
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  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质：营业执照

  • 8000

  • STM

  • SOT-223-4 (TO-261-4)

  • 22+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人：林S

    电话：18927460633

    地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 2017+

  • 4500

  • TQJE44

  • -

  • 进口原装现货 支持实单价优

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-8378920317727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • ST

  • SOT223

  • 18+

  • -

  • 原装正品，欢迎订购

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人：陈

    电话：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -

  • 原厂原装现货，代找紧缺料

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人：吴

    电话：18320850923

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 4000

  • STM

  • SOT-223-3

  • 11+/21+

  • -

  • 只做原装，型号齐全，价格优惠。

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市桂鹏科技有限公司
    深圳市桂鹏科技有限公司

    联系人：田小姐/高先生/李小姐

    电话：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）

    资质：营业执照

  • 82810298

  • STM

  • SOT-223

  • 15+

  • -

  • 深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

  • STN1NK60Z MOS(场效应管)
    STN1NK60Z MOS(场效应管)

    STN1NK60Z MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人：吴小姐

    电话：13612858787

    地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 15200

  • ST/意法

  • SOT223

  • 21+原装

  • -

  • 庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-83789203多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • SOT 223

  • ST

  • 17+

  • -

  • 原装正品。优势供应

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-83789203多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • ST

  • SOT223

  • 18+

  • -

  • 原装正品，欢迎订购

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人：胡

    电话：13480313979

    地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质：营业执照

  • 15000

  • ST

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原装正品 专业BOM配单

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-23984783

    地址：华强广场C座22K

    资质：营业执照

  • 46700

  • ST

  • ORIGINAL

  • 1918+

  • -

  • 一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

  • STN1NK60Z
    STN1NK60Z

    STN1NK60Z

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 65000

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 0.15104 USD,szpoweri...

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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STN1NK60Z 技术参数
  • STN1NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:105pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:206pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1HNK60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN0214 功能描述:TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300 mV @ 20mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:3 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN3P6F6 STN3PF06 STN4NF03L STN4NF06L STN4NF20L STN5PF02V STN690A STN715 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888 STN9260
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