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UCC27201D

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  • 功能描述
  • 功率驱动器IC 120V Boot 3-A Peak HF HS/LS Driver
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 产品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 类型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升时间
  • 下降时间
  • 电源电压-最大
  • 30 V
  • 电源电压-最小
  • 2.75 V
  • 电源电流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-8
  • 封装
  • Tube
UCC27201D 技术参数
  • UCC27201ATDA3 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot 3A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27201ATDA2 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC DVR HIGH/LOW SIDE 3A DIE 制造商:Texas Instruments 功能描述:100V/2.5A Peak, High Freq. Driver UCC27201AQDMKRQ1 功能描述:IC DVR HIGH/LOW SIDE 3A 8SOPWR 制造商:texas instruments 系列:汽车级,AEC-Q100 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:8 V ~ 17 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):120V 上升/下降时间(典型值):8ns,7ns 工作温度:-40°C ~ 140°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:10-VSON(4x4) 标准包装:1 UCC27201AQDDARQ1 功能描述:IC DVR HIGH/LOW SIDE 3A 8SOPWR 制造商:texas instruments 系列:汽车级,AEC-Q100 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:8 V ~ 17 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):120V 上升/下降时间(典型值):8ns,7ns 工作温度:-40°C ~ 140°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO PowerPad 标准包装:1 UCC27201ADRMT 功能描述:功率驱动器IC MOSFET DRIVER - 120V BOOT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27201QDDARQ1 UCC27210D UCC27210DDA UCC27210DDAR UCC27210DPRR UCC27210DPRT UCC27210DR UCC27210DRMR UCC27210DRMT UCC27211ADRMR UCC27211ADRMT UCC27211AQDDARQ1 UCC27211D UCC27211DDA UCC27211DDAR UCC27211DPRR UCC27211DPRT UCC27211DR
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