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ULN2003ADR

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功能描述
达林顿晶体管 Darlington
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—基极电压 VCBO
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-18
封装
Reel

ULN2003ADR 技术参数

ULN2003ADE4 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ULN2003AD 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ULN2003A 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 350mA，2V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-DIP 标准包装:25 ULN2002D1013TR 功能描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array RoHS:否制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel ULN2002AN 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ULN2003AIDRE4 ULN2003AIDRG4 ULN2003AIN ULN2003AINE4 ULN2003AING4 ULN2003AINSR ULN2003AIPW ULN2003AIPWE4 ULN2003AIPWG4 ULN2003AIPWR ULN2003AIPWRG4 ULN2003AN ULN2003ANE4 ULN2003ANSR ULN2003ANSRE4 ULN2003ANSRG4 ULN2003APG,CN ULN2003APW