VND5E050JTR-E功能描述:功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:TubeVND5E050J-E功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:TubeVND5E050ASOTR-E功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 50mOhm 27A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:TubeVND5E050AKTR-E功能描述:功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:TubeVND5E050AK-E功能描述:功率驱动器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:TubeVND5E160AJTR-EVND5E160ASOTR-EVND5E160J-EVND5E160JTR-EVND5E160MJ-EVND5E160MJTR-EVND5N07VND5N07-1VND5N0713TRVND5N07-1-EVND5N07-EVND5N07TR-EVND5T016ASPTR-EVND5T035AK-EVND5T035AKTR-EVND5T035ASTR-EVND5T035LAK-EVND5T035LAKTR-E