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参数资料
| 型号： | IDT70V261L35PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V261L35PF |
IDT70V261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
A
Power
999
Speed
A
Package
A
A
Process/
A
Type
Temperature
Range
Blank
8
Blank
I (1)
G (2)
PF
25
Tube or Tray
Tape and Reel
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
100-pin TQFP (PN100-1)
Commercial & Industrial
35
Commercial Only
Speed in nanoseconds
55
S
L
70V261
Commercial Only
Standard Power
Low Power
256K (16K x 16) 3.3V Dual-Port RAM w/Interrupt
3040 drw 19
NOTES:
1. For other speeds, packages and powers contact your sales office.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History
3/25/99: Initiated datasheet document history
Converted to new format
Cosmetic and typographical corrections
Page 2 Added additional notes to pin configurations
6/10/99:
Changed drawing format
8/30/99:
11/12/99:
Page 1
Changed 660mW to 660 μ W
Replaced IDT logo
6/7/00:
Page 4 Increated storage temperature parameter
Clarified T A Parameter
Page 5 DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Changed ±200mV to 0mV in notes
12/01/01:
Page 2
Added date revision to pin configurations
Page 5 Added I-temp values for 25ns to DC Electrical Characteristics
Pages 4, 5, 6, 7, 10 & 12 Removed I-temp footnotes from all tables
Page 17 Added I-temp offering in ordering information
Page 1 & 17 Replaced TM logo with ? logo
02/15/08:
Page 1 Added green availability to features
Page 17 Added green indicator to ordering information
Page 17 Added die stepping indcator to ordering information
01/19/09:
Page 17
Removed "IDT" from orderable part number
09/29/12:
Page 17 Added T&R indicator to and removed W stepping from ordering information
Page 2, 14 & 17
Corrected miscellaneous typo’s
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
for Tech Support:
408-284-2794
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
17
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V261L25PF | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| EMC35DTEH | CONN EDGECARD 70POS .100 EYELET |
| FMC50DRYN | CONN EDGECARD 100PS DIP .100 SLD |
| 0512966094 | CONN FFC 60POS 0.50MM SMD R/A |
| IDT70V07L35PF | IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V261L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V261L55PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V261L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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