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参数资料
| 型号： | IDT71024S12YGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ |
| 标准包装： | 23 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71024S12YGI |
IDT71024 CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
AC Electrical Characteristics
(V CC = 5.0V ± 10%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
71024S12
71024S15
71024S20
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t CHZ
t RC
t AA
t ACS
t CLZ (1)
(1)
t OE
t OLZ (1)
t OHZ (1)
t OH
t PU (1)
t PD (1)
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Sele ct to Output in Low-Z
Chip Desele ct to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enab le to Output in Low-Z
Output Disab le to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
Chip Select to Power-Up Time
Chip Deselect to Power-Down Time
12
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
12
12
—
6
6
—
5
—
—
12
15
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
15
15
—
7
7
—
5
—
—
15
20
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
20
20
—
8
8
—
7
—
—
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle
t WHZ
t WC
t AW
t CW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t OW (1)
(1)
Write Cycle Time
Address Valid to End-of-Write
Chip Select to End-of-Write
Address Set-Up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Data Hold Time
Output Active from End-of-Write
Write Enab le to Output in High-Z
12
10
10
0
8
0
7
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
15
12
12
0
12
0
8
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
20
15
15
0
15
0
9
0
4
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
6.42
2964 tbl 09
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PDF描述 |
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