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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S80B |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119 |
| 文件页数： | 19/26页 |
| 文件大小： | 972K |
| 代理商： | IDT71V65903S80B |
6.42
26
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
Datasheet Document History
12/31/99
Created new part number and datasheet from 71V657/59 to 71v65703/5903
04/20/00
Pg.5,6
Add JTAG reset pins to TQFP pin configuration; removed footnote
Add clarification note to Recommended Operating Temperature and Absolute Max Ratings tables
Pg. 7
Add note to BGA pin configuration; corrected typo within pinout
Pg. 21
InsertTQFP Package Diagram Outline
05/23/00
Add new package offering: 13mm x 15mm, 165 fine pitch ball grid array
Pg. 23
Correction on 119 Ball Grid Array Package diagram Outline
07/28/00
Pg. 5-8
Remove JTAG pins from TQFP, BG119 and BQ165 pinouts, refer to IDT71V656xx and
IDT71V658xx device errata sheet
Pg. 7,8
Correct error in pinout, B2 on BG119 and B1 on BQ165 pinout
Pg. 23
Update BG119 package diagram dimensions
11/04/00
Pg. 8
Add reference note to pin N5 on the BQ165 pinout, reserved for JTAG
TRST
Pg. 15
Add Izz to DC Electrical Characteristics
12/04/02
Pg. 1-25
Changed datasheet fromPreliminary to final release.
Pg. 5,6,15,16,25
Added I temp to datasheet
12/18/02
Pg. 1,2,5,6,7,8
Removed JTAG functionality for current die revision.
Pg. 7
Corrected pin configuration on the x36, 119 BGA. Switched pins I/O0and I/OP1.
CORPORATE HEADQUARTERS
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for Tech Support:
6024 Silver Creek Valley Rd
800-345-7015 or 408-284-8200
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San Jose, CA 95138
fax: 408-284-2775
800-345-7015 or
www.idt.com
408/284-4555
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7210L25PQF | 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64 |
| IDT7281L25SOI | 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28 |
| 7200L20TDB | 256 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, CDIP28 |
| IDT7281L25TPI | 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDIP28 |
| IDT7284L20PAI | 4K X 9 BI-DIRECTIONAL FIFO, 20 ns, PDSO56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V65903S80BG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S80BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S80BGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71V65903S80BGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S80BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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