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参数资料
| 型号： | IR2133STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Data Sheet No. PD60107 revX
IR2133/IR2135(J & S ) & (PbF)
IR2233 / IR2235 ( J & S ) & (PbF)
3-PHASE BRIDGE DRIVER
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V or+1200V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
? Gate drive supply range from 10V/12V to 20V DC and
up to 25V for transient
? Undervoltage lockout for all channels
? Over-current shut down turns off all six drivers
? Independent 3 half-bridge drivers
? Matched propagation delay for all channels
? 2.5V logic compatible
? Outputs out of phase with inputs
? All parts are also available LEAD-FREE
Description
The IR2133IR2135/IR2233IR2355 (J&S) are high voltage, high speed
power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and
low side referenced output channels for 3-phase applications. Propri-
etary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction.
Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to
Product Summary
V OFFSET
I O+/-
V OUT
t on/off (typ.)
Deadtime (typ.)
Packages
28-Lead SOIC
600V or 1200V max.
200 mA / 420 mA
10 - 20V or 12 - 20V
750/700 ns
250 ns
28-Lead PDIP
2.5V logic. An independent operational amplifier provides an analog
feedback of bridge current via an external current sense resistor. A
44-Lead PLCC w/o 12 leads
current trip function which terminates all six outputs can also be de-
rived from this resistor. A shutdown function is available to terminate all six outputs. An open drain FAULT signal is provided to
indicate that an over-current or undervoltage shutdown has occurred. Fault conditions are cleared with the FLT-CLR lead. The
output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are
matched to simplify use in high frequency applications. The floating channels can be used to drive N-channel power MOSFETs or
IGBTs in the high side configuration which operates up to 600 volts or 1200 volts.
Typical Connection
(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/These diagram(s) show electrical connections only.
Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.
www.irf.com
up to 600V or 1200V
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2133JTRPBF | IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC |
| 3005P-1-502 | TRIMMER 5K OHM 1W TH |
| 3005P-1-201 | TRIMMER 200 OHM 1W TH |
| 3292X-1-502MLF | TRIMMER 5K OHM 0.5W TH |
| 3292X-1-500MLF | TRIMMER 50 OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2135 | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2135J | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2135JPbF | 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2135JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2135PBF | 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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