| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 | 描述 | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
| 产品目录绘图 | IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
标准包装 | 800 |
| 系列 | - | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.8A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
IRF9520STRL 同类产品
| 型号 | ECW-H8243HL | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Panasonic Electronic Components | 描述 | CAP FILM 0.024UF 800VDC RADIAL |
| 标准包装 | 1,000 | 系列 | ECW-H(L) |
| 电容 | 0.024µF |
额定电压 - AC | - |
| 额定电压 - DC | 800V |
电介质材料 | 聚丙烯，金属化 |
| 容差 | ±3% |
ESR（等效串联电阻） | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 110°C |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 径向 |
尺寸/尺寸 | 0.709" L x 0.236" W（18.00mm x 6.00mm） |
| 高度 - 座高（最大） | 0.571"（14.50mm） |
端子 | PC 引脚 |
| 引线间隔 | 0.591"（15.00mm） |
特点 | 高频和高稳定性 |
| 应用 | - |
包装 | 散装 |
| 其它名称 | ECWH8243HL P12459 |
| 型号 | IRF9520S | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet | 
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Vishay Siliconix | 描述 | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
| 标准包装 | 1,000 | 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 4.1A，10V |
Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 管件 |
其它名称 | *IRF9520S |
| 型号 | DVN-5R5D224T-R5 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Elna America | 描述 | CAP SUPER 220MF 5.5V SMD |
| 标准包装 | 1 | 系列 | DVN |
| 电容 | 220mF |
电压 - 额定 | 5.5V |
| 容差 | - |
ESR（等效串联电阻） | 30 欧姆 |
| 寿命@温度 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 径向，Can - SMD |
引线间隔 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
尺寸/尺寸 | 0.492" 直径（12.50mm） |
| 高度 - 座高（最大） | 0.335"（8.50mm） |
工作温度 | -25°C ~ 70°C |
| 其它名称 | 604-1167-1 |
| 型号 | IRF9510S | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Vishay Siliconix | 描述 | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK |
| 产品目录绘图 | IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
标准包装 | 1,000 |
| 系列 | - | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRF9510S |
| 型号 | ECW-H8223HL | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Panasonic Electronic Components | 描述 | CAP FILM 0.022UF 800VDC RADIAL |
| 标准包装 | 1,000 | 系列 | ECW-H(L) |
| 电容 | 0.022µF |
额定电压 - AC | - |
| 额定电压 - DC | 800V |
电介质材料 | 聚丙烯，金属化 |
| 容差 | ±3% |
ESR（等效串联电阻） | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 110°C |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 径向 |
尺寸/尺寸 | 0.709" L x 0.236" W（18.00mm x 6.00mm） |
| 高度 - 座高（最大） | 0.571"（14.50mm） |
端子 | PC 引脚 |
| 引线间隔 | 0.591"（15.00mm） |
特点 | 高频和高稳定性 |
| 应用 | - |
包装 | 散装 |
| 其它名称 | ECWH8223HL P12458 |
| 型号 | A22N-PR13 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Omron Electronics Inc-IA Div | 描述 | FLUID LEVEL LOW |
| 标准包装 | 1 | 系列 | - |
| 其它名称 | A22NPR13 |
| 型号 | NOJP475M006RWJ | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | AVX Corporation | 描述 | CAP NIOB OXIDE 4.7UF 6.3V 0805 |
| 产品培训模块 | Components for Alternate Energy Applications Component Solutions for Smart Meter Applications |
标准包装 | 2,500 |
| 系列 | OxiCap® NOJ | 电容 | 4.7µF |
| 电压 - 额定 | 6.3V |
容差 | ±20% |
| ESR（等效串联电阻） | 6.1 欧姆 |
电流 - 泄漏电流 | 1µA |
| 耗散因数 | 6% |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
制造商尺寸代码 | P |
| 高度 - 座高（最大） | 0.059"（1.50mm） |
特点 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 105°C |
包装 | 带卷 (TR) |
| 型号 | CVCO55BE-2100-2300 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Crystek Corporation | 描述 | OSC VCO 2100-2300MHZ SMD .5X.5" |
| 产品目录绘图 | CVCO55xx Series Top CVCO55xx Series Side |
特色产品 | Voltage Controlled Oscillators |
| 标准包装 | 5 | 系列 | CVCO55 |
| 频率范围 | 2100 ~ 2300MHz |
频率 - 中心 | 2200MHz |
| 调谐电压(VDC) | 0.3 ~ 4.7 V |
第2谐波，标准值(dBc) | -18 |
| 最大Icc | 25mA |
Kvco (MHz/V) | 2 |
| 功率 (dBm) | 0 ±3 |
相位噪声标准值(dBc/Hz) | -103 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
封装/外壳 | 16-QFN，变式 |
| 尺寸/尺寸 | 0.500" L x 0.500" W（12.70mm x 12.70mm） |
高度 | 0.150"（3.81mm） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
电源电压 | 5V |
| 产品目录页面 | 1721 (CN2011-ZH PDF) |
配用 | 744-1270-ND - BOARD EVAL FOR CVCO55 .5"X.5" |
| 其它名称 | 744-1098 |
| 型号 | IRF840L | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Vishay Siliconix | 描述 | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 |
| 产品目录绘图 | IRF TO-262 Series Side 1 IRF TO-262 Series Side 2 |
标准包装 | 1,000 |
| 系列 | - | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRF840L |
| 型号 | DVN-5R5D224T-R5 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Elna America | 描述 | CAP SUPER 220MF 5.5V SMD |
| 标准包装 | 300 | 系列 | DVN |
| 电容 | 220mF |
电压 - 额定 | 5.5V |
| 容差 | - |
ESR（等效串联电阻） | 30 欧姆 |
| 寿命@温度 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 径向，Can - SMD |
引线间隔 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
尺寸/尺寸 | 0.492" 直径（12.50mm） |
| 高度 - 座高（最大） | 0.335"（8.50mm） |
工作温度 | -25°C ~ 70°C |
| 其它名称 | 604-1167-2 DVN-5R5D224T-R |