参数资料
型号: IRF9533
厂商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTORS
中文描述: 三极管
文件页数: 1/12页
文件大小: 508K
代理商: IRF9533
相关PDF资料
PDF描述
IRF9530 P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9530NSTRR Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
IRF9530 TRANSISTORS
IRF9530NL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
IRF9530NS Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF9540 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540_PDD 功能描述:MOSFET Replaced by SFP9540/P-CH/100V/19A/0.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540L 功能描述:MOSFET P-CH 100V 19A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9540N 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220