IRFR5305TRPBF
库存数量:29,318
制造商:International Rectifier
描述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
RoHS:无铅 / 符合
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价格行情(美元)
价格 单价 总价
1 1.73000 1.73
10 1.07000 10.70
25 0.95760 23.94
50 0.87020 43.51
100 0.78290 78.29
250 0.73284 183.21
500 0.69216 346.08
1,000 0.64851 648.51
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标准包装 1
系列 HEXFET® FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
功率 - 最大 110W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 标准包装
产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRFR5305PBFDKR
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频率 1.9GHz
P1dB -12.5dBm
增益 13dB ~ 18.5dB
噪音数据 4dB ~ 5.5dB
RF 型 手机,GPS,PCS
电源电压 2.7 V ~ 3.3 V
电流 - 电源 4mA ~ 8mA
测试频率 1.9GHz
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5.7 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1810pF @ 25V
功率 - 最大 3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装 8-SOIC-EP
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尺寸/尺寸 -
高度 - 座高(最大) 30.61mm
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频率 1.575GHz
P1dB -
增益 16dB
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电源电压 2.7 V ~ 3.3 V
电流 - 电源 3.3mA
测试频率 1.575GHz
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漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5.7 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1810pF @ 25V
功率 - 最大 3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
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标准包装 1 系列 -
频率 1.575GHz
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增益 16dB
噪音数据 1.6dB
RF 型 GPS
电源电压 2.7 V ~ 3.3 V
电流 - 电源 3.3mA
测试频率 1.575GHz
封装/外壳 6-PLLP
包装 *
其它名称 ATR0610-PQQCT
型号 0640000009 数量 可订货
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其它名称 064000-0009
64000-0009
640000009
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E.T. -
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