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参数资料
| 型号： | IRGAC50F |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRGAC50F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRH3054 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRH4054 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRKH72/10A | 117.75 A, 1000 V, SCR, TO-240AA |
| IRKH91/04A | 149.15 A, 400 V, SCR, TO-240AA |
| IRKH91/06A | 149.15 A, 600 V, SCR, TO-240AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB10B60KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB10B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB14C40L | 功能描述:IGBT IGNITION 430V 20A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRGB14C40LPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB15B60KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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