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参数资料
| 型号： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
| 封装： | 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. 00B
03/04/09
IS62WV10248DALL/BLL, IS65WV10248DALL/BLL
WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS(1,2)(OverOperatingRange)
45ns
55 ns
70 ns
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
tWC
WriteCycleTime
45
—
55
—
70
—
ns
tSCS1/tSCS2 CS1/CS2toWriteEnd
35
—
45
—
60
—
ns
tAW
AddressSetupTimetoWriteEnd
35
—
45
—
60
—
ns
thA
AddressHoldfromWriteEnd
0
—
0
—
0
—
ns
tSA
AddressSetupTime
0
—
0
—
0
—
ns
tPWe(4)
WE
PulseWidth
35
—
40
—
50
—
ns
tSd
DataSetuptoWriteEnd
20
—
25
—
30
—
ns
thd
DataHoldfromWriteEnd
0
—
0
—
0
—
ns
thzWe(3)
WE
LOWtoHigh-ZOutput
—
20
—
20
—
30
ns
tLzWe(3)
WE
HIGHtoLow-ZOutput
5
—
5
—
5
—
ns
Notes:
1. Testconditionsassumesignaltransitiontimesof5nsorless,timingreferencelevelsof0.9V/1.5V,inputpulselevelsof0.4to
Vdd-0.2V/0.4VtoVdd-0.3VandoutputloadingspecifiedinFigure1.
2. Theinternalwritetimeisdefinedbytheoverlapof CS1 LOW,CS2HIGH,andWELOW.AllsignalsmustbeinvalidstatestoinitiateaWrite,butanyonecan
go inactive to terminatetheWrite.TheDataInputSetupandHoldtimingarereferencedtotherisingorfallingedgeofthesignalthatterminatesthewrite.
3. TestedwiththeloadinFigure2.Transitionismeasured±500mVfromsteady-statevoltage.Not100%tested.
4. tPWe > thzWe + tSd when OEisLOW.
AC WAVEFORMS
WRITE CYCLE NO. 1 (CS1/CS2 Controlled, OE=HIGHorLOW)
DATA-IN VALID
DATA UNDEFINED
tWC
tSCS1
tSCS2
tAW
tHA
tPWE
tHZWE
HIGH-Z
tLZWE
tSA
tSD
tHD
ADDRESS
CS1
CS2
WE
DOUT
DIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISB20-G | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3750 V ISOLATION-MAX |
| ISC-18128.2UH20% | 1 ELEMENT, 8.2 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS62WV10248DBLL-45TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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