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参数资料
| 型号： | ISPLSI 5512VE-155LF256 |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 4/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD ISP 256I/O 6.5NS 256FPBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ispLSI® 5000VE |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 6.5ns |
| 电压电源 - 内部： | 3 V ~ 3.6 V |
| 逻辑元件/逻辑块数目： | 16 |
| 宏单元数： | 512 |
| 门数： | 24000 |
| 输入/输出数： | 192 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 供应商设备封装： | 256-FPBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | ISPLSI5512VE-155LF256 |
Specifications ispLSI 5512VE
12
Switching Test Conditions
Input Pulse Levels
Table 2-0003/5KVE
Input Rise and Fall Time
Input Timing Reference Levels
Ouput Timing Reference Levels
Output Load
GND to VCCIOmin
≤ 1.5ns 10% to 90%
1.5V
See Figure 9
3-state levels are measured 0.5V from
steady-state active level.
Output Load Conditions (See Figure 9)
TEST CONDITION
R1
3.3V
2.5V
R2
CL
A
35pF
D
35pF
B
35pF
Active High
Slow Slew
Active Low
C
5pF
511
∞
511
∞
475
∞
475
∞
475
R1
R2
316
∞
316
∞
348
∞
348
∞
348
Active Low to Z
at V +0.5V
OL
Active High to Z
at V
-0.5V
OH
Table 2-0004A/5KVE
DC Electrical Characteristics for 3.3V Range
1
Over Recommended Operating Conditions
Figure 9. Test Load
VCCIO
R1
R2
CL*
Device
Output
Test
Point
*CL includes Test Fixture and Probe Capacitance.
0213D
VOL
SYMBOL
1. I/O voltage configuration must be set to VCC.
Table 2-0007/5KVE
VOH
VIH
VIL
PARAMETER
Output Low Voltage
Output High Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
VCCIO = min, IOL = 8 mA
VCCIO = min, IOH = -4 mA
CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
–
2.4
2.0
-0.3
–
0.4
–
5.25
0.8
V
VCCIO
I/O Reference Voltage
3.0
–
3.6
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCM12DTKI | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| GEC07DREH-S13 | CONN EDGECARD 14POS .100 EXTEND |
| NDTD0512C | CONV DC/DC 3W 5VIN 12VOUT DIP24 |
| V300A36E400BG3 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 400W |
| VI-2TY-CY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISPLSI5512VE-155LF256 | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| ISPLSI5512VE-155LF256-125I | 制造商:Lattice Semiconductor Corporation 功能描述:COMPLEX-EEPLD, 512-CELL, 8NS PROP DELAY, 256 Pin, Plastic, BGA |
| ISPLSI5512VE-155LF256I | 制造商:Lattice Semiconductor Corporation 功能描述:COMPLEX-EEPLD, 512-CELL, 8NS PROP DELAY, 256 Pin, Plastic, BGA |
| ISPLSI5512VE-155LF388 | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| ISPLSI5512VE-80LB272I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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