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JAN1N3891

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 19875

  • IR

  • 罗丝帽

  • 2024+

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  • 代理商库房现货

  • JAN1N3891
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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • MSC

  • DO-4

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  • JAN1N3891
    JAN1N3891

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主营优势

  • 19+

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  • 1/1页 40条/页 共7条 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 200V 12A 2-Pin DO-4
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • FAST RECOVERY RECTFR 200V 12A 2PIN DO-4 - Bulk
JAN1N3891 技术参数
  • JAN1N3890 功能描述:Diode Standard 100V 12A Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/304 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):12A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 38A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-203AA(DO-4) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N3828DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB(MELF,LL41) 标准包装:1 JAN1N3828D-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JAN1N3828CUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB(MELF,LL41) 标准包装:1 JAN1N3828C-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JAN1N4100-1 JAN1N4100C-1 JAN1N4100CUR-1 JAN1N4100D-1 JAN1N4100DUR-1 JAN1N4100UR-1 JAN1N4101-1 JAN1N4101C-1 JAN1N4101CUR-1 JAN1N4101D-1 JAN1N4101DUR-1 JAN1N4101UR-1 JAN1N4102-1 JAN1N4102C-1 JAN1N4102CUR-1 JAN1N4102D-1 JAN1N4102DUR-1 JAN1N4102UR-1
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