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JAN1N4122

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JAN1N4122 技术参数

JAN1N4121UR-1 功能描述:Zener Diode 33V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4121DUR-1 功能描述:Zener Diode 33V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4121D-1 功能描述:Zener Diode 33V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JAN1N4121CUR-1 功能描述:Zener Diode 33V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4121C-1 功能描述:Zener Diode 33V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JAN1N4123D-1 JAN1N4123DUR-1 JAN1N4123UR-1 JAN1N4124-1 JAN1N4124C-1 JAN1N4124CUR-1 JAN1N4124D-1 JAN1N4124DUR-1 JAN1N4124UR-1 JAN1N4125-1 JAN1N4125C-1 JAN1N4125CUR-1 JAN1N4125D-1 JAN1N4125DUR-1 JAN1N4125UR-1 JAN1N4126-1 JAN1N4126C-1 JAN1N4126CUR-1