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JAN1N4588

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JAN1N4588 技术参数

JAN1N4584AUR-1 功能描述:Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/452 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4583AUR-1 功能描述:Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/452 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4583A-1 功能描述:Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/452 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JAN1N4582AUR-1 功能描述:Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/452 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4582A-1 功能描述:Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/452 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JAN1N4615CUR-1 JAN1N4615D-1 JAN1N4615DUR-1 JAN1N4615UR-1 JAN1N4616-1 JAN1N4616C-1 JAN1N4616CUR-1 JAN1N4616D-1 JAN1N4616DUR-1 JAN1N4616UR-1 JAN1N4617C-1 JAN1N4617CUR-1 JAN1N4617D-1 JAN1N4617DUR-1 JAN1N4617UR-1 JAN1N4618-1 JAN1N4618C-1 JAN1N4618CUR-1