JAN1N5187

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
FAST RECOVERY RECTFR 200V 3A 2PIN E - Bulk
制造商
Microwave Semiconductor
功能描述

JAN1N5187 技术参数

JAN1N4994 功能描述:Zener Diode 330V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:330V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1175 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 251V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JAN1N4992 功能描述:Zener Diode 270V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:270V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:800 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 206V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JAN1N4990US 功能描述:Zener Diode 220V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:220V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:550 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 167V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JAN1N4990DUS 功能描述:Zener Diode 220V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:220V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:550 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 167V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JAN1N4990D 功能描述:Zener Diode 220V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:220V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:550 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 167V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JAN1N5285UR-1 JAN1N5286-1 JAN1N5286UR-1 JAN1N5287-1 JAN1N5287UR-1 JAN1N5288-1 JAN1N5288UR-1 JAN1N5289-1 JAN1N5289UR-1 JAN1N5290-1 JAN1N5290UR-1 JAN1N5291-1 JAN1N5291UR-1 JAN1N5292-1 JAN1N5292UR-1 JAN1N5293-1 JAN1N5293UR-1 JAN1N5294-1