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JAN1N5538C-1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 18V 2% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk

JAN1N5538C-1 技术参数

JAN1N5538BUR-1 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 16.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:* 标准包装:1 JAN1N5538B-1 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 16.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JAN1N5537DUR-1 功能描述:Zener Diode 17V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 15.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:* 标准包装:1 JAN1N5537D-1 功能描述:Zener Diode 17V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 15.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JAN1N5537CUR-1 功能描述:Zener Diode 17V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 15.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:* 标准包装:1 JAN1N5540B-1 JAN1N5540BUR-1 JAN1N5540C-1 JAN1N5540CUR-1 JAN1N5540D-1 JAN1N5540DUR-1 JAN1N5541B-1 JAN1N5541BUR-1 JAN1N5541C-1 JAN1N5541CUR-1 JAN1N5541D-1 JAN1N5541DUR-1 JAN1N5542B-1 JAN1N5542BUR-1 JAN1N5542C-1 JAN1N5542CUR-1 JAN1N5542D-1 JAN1N5542DUR-1