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JAN1N6039A

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL BI-DIR 8.5V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk
JAN1N6039A 技术参数
  • JAN1N6036A 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11.3VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/507 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):6V 电压 - 击穿(最小值):7.13V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):132A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JAN1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 JAN1N5907 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC DO-13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:8.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):120A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JAN1N5822 功能描述:Diode Schottky 40V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/620 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 JAN1N5819UR-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/586 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):490mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 45V 不同?Vr,F 时的电容:70pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 JAN1N6061A JAN1N6069A JAN1N6072A JAN1N6073 JAN1N6074 JAN1N6075 JAN1N6076 JAN1N6077 JAN1N6078 JAN1N6081 JAN1N6100 JAN1N6101 JAN1N6103 JAN1N6103A JAN1N6103AUS JAN1N6103US JAN1N6104 JAN1N6104A
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