JAN1N6315CUS

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JAN1N6315CUS 技术参数

JAN1N6312US 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6173US 功能描述:TVS DIODE 152VWM 286.65VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:180.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:286.65V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.23A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6173AUS 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6173A 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG AXL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JAN1N6173 功能描述:TVS DIODE 152VWM 286.65VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:180.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:286.65V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.23A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JAN1N6316US JAN1N6317 JAN1N6317C JAN1N6317CUS JAN1N6317D JAN1N6317DUS JAN1N6317US JAN1N6318 JAN1N6318C JAN1N6318CUS JAN1N6318D JAN1N6318DUS JAN1N6318US JAN1N6319 JAN1N6319C JAN1N6319CUS JAN1N6319D JAN1N6319DUS