JAN1N6350US

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk

JAN1N6350US 技术参数

JAN1N6350 功能描述:Zener Diode 120V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:600 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 91V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6349 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6347 功能描述:Zener Diode 91V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 69V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6346 功能描述:Zener Diode 82V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:220 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 62V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6345US 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6463 JAN1N6463US JAN1N6464 JAN1N6464US JAN1N6465 JAN1N6465US JAN1N6466 JAN1N6466US JAN1N6467 JAN1N6467US JAN1N6468 JAN1N6468US JAN1N6469 JAN1N6469US JAN1N6470 JAN1N6470US JAN1N6471 JAN1N647-1