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JAN2N1479

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  • JAN2N1479
    JAN2N1479

    JAN2N1479

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • NES

  • 9602;96年;0

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • JAN2N1479
    JAN2N1479

    JAN2N1479

  • 深圳市莱特斯电子科技有限公司
    深圳市莱特斯电子科技有限公司

    联系人：江先生

    电话：19176527791

    地址：深圳市福田区赛格广场1609A

    资质：营业执照

  • 9600

  • MSC

  • 标准封装

  • 21+

  • -

  • ?只做原装进口，承诺假一罚十，授权分销商...

  • JAN2N1479
    JAN2N1479

    JAN2N1479

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-8378920313332987005

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 69200

  • NES

  • 18+

  • -

  • 全新原装，优势库存

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3-Pin TO-5
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT NPN 40V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk
JAN2N1479 技术参数
  • JAN2N1016D 功能描述:TRANS NPN 100V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 JAN2N1016C 功能描述:TRANS NPN 150V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 JAN2N1016B 功能描述:TRANS NPN 100V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 JAN1N986DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N986D-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL JAN2N2219 JAN2N2219A JAN2N2219AL JAN2N2221A JAN2N2221AL JAN2N2221AUA JAN2N2221AUB JAN2N2222A JAN2N2222AL JAN2N2222AUA JAN2N2222AUB JAN2N2323 JAN2N2323A JAN2N2323AS JAN2N2323AU4
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