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JANS1N6316DUS

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JANS1N6316DUS 技术参数
  • JANS1N6315US 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):18 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 JANS1N6314US 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 5W B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 JANS1N6313US 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N6312US 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N6312DUS 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N6318C JANS1N6318CUS JANS1N6318D JANS1N6318DUS JANS1N6318US JANS1N6318US/TR JANS1N6319 JANS1N6319C JANS1N6319CUS JANS1N6319D JANS1N6319DUS JANS1N6319US JANS1N6319US/TR JANS1N6320 JANS1N6320C JANS1N6320CUS JANS1N6320DUS JANS1N6320US
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