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JANTX1N2999B

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 56V 5% 10W 2PIN DO-4 - Bulk

JANTX1N2999B 技术参数

JANTX1N2991B 功能描述:Zener Diode 36V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2990B 功能描述:Zener Diode 33V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2989RB 功能描述:Zener Diode 30V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2989B 功能描述:Zener Diode 30V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2988B 功能描述:Zener Diode 27V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N3016DUR-1 JANTX1N3017B-1 JANTX1N3017BUR-1 JANTX1N3017C-1 JANTX1N3017CUR-1 JANTX1N3017D-1 JANTX1N3017DUR-1 JANTX1N3018B-1 JANTX1N3018BUR-1 JANTX1N3018C-1 JANTX1N3018CUR-1 JANTX1N3018D-1 JANTX1N3018DUR-1 JANTX1N3019B-1 JANTX1N3019BUR-1 JANTX1N3019C-1 JANTX1N3019CUR-1 JANTX1N3019D-1