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JANTX1N4963US-TR

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JANTX1N4963US-TR 技术参数
  • JANTX1N4963US 功能描述:Zener Diode 16V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JANTX1N4963DUS 功能描述:Zener Diode 16V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:100 JANTX1N4963D 功能描述:Zener Diode 16V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:100 JANTX1N4963CUS 功能描述:Zener Diode 16V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:100 JANTX1N4963C 功能描述:Zener Diode 16V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:100 JANTX1N4965D JANTX1N4965DUS JANTX1N4965US JANTX1N4966 JANTX1N4966C JANTX1N4966CUS JANTX1N4966D JANTX1N4966DUS JANTX1N4966US JANTX1N4967 JANTX1N4967C JANTX1N4967CUS JANTX1N4967D JANTX1N4967DUS JANTX1N4967US JANTX1N4968 JANTX1N4968C JANTX1N4968CUS
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