JANTX1N5614US全国供应商【买卖IC网】JANTX1N5614US资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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说明
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JANTX1N5614US
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1867
Microsemi HI-REL [MIL]
2016+
-
公司现货！只做原装！

JANTX1N5614US
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

JANTX1N5614US
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

JANTX1N5614US
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1852
Microsemi Corporation
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

JANTX1N5614US
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 200V 1A 2-Pin A-MELF
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Trays
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE GEN PURPOSE 200V 1A

JANTX1N5614US 技术参数

JANTX1N5614 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JANTX1N5613 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:175V 电压 - 击穿（最小值）:191V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JANTX1N5612 功能描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:49V 电压 - 击穿（最小值）:54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JANTX1N5611 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JANTX1N5610 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JANTX1N5620 JANTX1N5620US JANTX1N5621 JANTX1N5621US JANTX1N5622 JANTX1N5622US JANTX1N5623 JANTX1N5623US JANTX1N5629A JANTX1N5630A JANTX1N5631A JANTX1N5632A JANTX1N5633A JANTX1N5634A JANTX1N5635A JANTX1N5636A JANTX1N5637A JANTX1N5638A

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