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JANTX1N5711A1

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JANTX1N5711A1 技术参数

JANTX1N5711-1 功能描述:Diode Schottky 70V 33mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/444 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:33mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:410mV @ 1mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JANTX1N5665A 功能描述:TVS DIODE 171VWM 274VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:171V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:274V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JANTX1N5664A 功能描述:TVS DIODE 154VWM 246VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:154V 电压 - 击穿（最小值）:171V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:246V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JANTX1N5663A 功能描述:TVS DIODE 145VWM 234VC DO-13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:145V 电压 - 击穿（最小值）:162V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:234V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-202AA（DO-13）标准包装:1 JANTX1N5662A 功能描述:TVS DIODE 136VWM 219VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:136V 电压 - 击穿（最小值）:152V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:219V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JANTX1N5802URS JANTX1N5802US JANTX1N5804 JANTX1N5804URS JANTX1N5804US JANTX1N5806 JANTX1N5806URS JANTX1N5806US JANTX1N5806US/TR JANTX1N5807 JANTX1N5807URS JANTX1N5807US JANTX1N5809 JANTX1N5809URS JANTX1N5809US JANTX1N5811 JANTX1N5811/TR JANTX1N5811URS