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JANTX1N6310DUS

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JANTX1N6310DUS 技术参数

JANTX1N6309US 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JANTX1N6309 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N6173AUS 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JANTX1N6173A 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG AXL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTX1N6173 功能描述:TVS DIODE 152VWM 286.65VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:180.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:286.65V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.23A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTX1N6312D JANTX1N6312DUS JANTX1N6312US JANTX1N6312US/TR JANTX1N6313 JANTX1N6313C JANTX1N6313CUS JANTX1N6313D JANTX1N6313DUS JANTX1N6314 JANTX1N6314C JANTX1N6314CUS JANTX1N6314D JANTX1N6314DUS JANTX1N6314US JANTX1N6315 JANTX1N6315C JANTX1N6315CUS