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JANTXV1N6309D

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JANTXV1N6309D 技术参数

JANTXV1N6173AUS 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JANTXV1N6173A 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC GPKG AXL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:152V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTXV1N6172AUS 功能描述:TVS DIODE 136.8VWM 245.7VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:136.8V 电压 - 击穿（最小值）:171V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:245.7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JANTXV1N6172A 功能描述:TVS DIODE 136.8VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:136.8V 电压 - 击穿（最小值）:171V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:245.7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTXV1N6172 功能描述:TVS DIODE 136.8VWM 257.99VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:136.8V 电压 - 击穿（最小值）:162.45V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:257.99V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTXV1N6311C JANTXV1N6311CUS JANTXV1N6311DUS JANTXV1N6311US JANTXV1N6311US/TR JANTXV1N6312 JANTXV1N6312C JANTXV1N6312CUS JANTXV1N6312CUS/TR JANTXV1N6312D JANTXV1N6312DUS JANTXV1N6312DUS/TR JANTXV1N6312US JANTXV1N6313 JANTXV1N6313C JANTXV1N6313CUS JANTXV1N6313D JANTXV1N6313DUS