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JS28F640J3D75,872336 技术参数

JS28F512P33TFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) JS28F512P33EFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) JS28F512P33EF0 功能描述:IC FLASH 512MBIT 105NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 JS28F512P33BFD 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) JS28F512P30TFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P30 65NM 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) JS28F640J3F75D TR JS28F640J3F75E JS28F640J3F75G JS28F640P30B85A JS28F640P30BF75A JS28F640P30BF75D JS28F640P30T85A JS28F640P30TF75A JS28F640P33B85A JS28F640P33BF70A JS28F640P33T85A JS28F640P33TF70A JS28F800C3BD70 JS-28W JS-307 JS-308 JS-31 JS-32