JS28F800C3BD70

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功能描述
IC FLASH 8MBIT 70NS 48TSOP
RoHS
是
类别
集成电路 (IC) >> 存储器
系列
-
标准包装
576
系列
-
格式 - 存储器
闪存
存储器类型
闪存 - NAND
存储容量
512M（64M x 8）
速度
-
接口
并联
电源电压
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商设备封装
48-TSOP
包装
托盘
其它名称
497-5040

JS28F800C3BD70 技术参数

JS28F640P33TF70A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 2.5V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MX16 PBF TSOP 3.0V 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 64MBIT 56TSO 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 64MBIT, 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 64MBIT, 56TSOP; Memory Type:Flash - NOR; Memory Size:64Mbit; Memory Configuration:4M x 16bit; Supply Voltage Min:2.3V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:TSOP; No. of Pins:56; Clock Frequency:40MHz; Access ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 2.5V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 56-Pin TSOP Tray JS28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ JS28F640P33BF70A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 2.5V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 64MBIT 56TSO 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 64MBIT, 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 64MBIT, 56TSOP; Memory Type:Flash - NOR; Memory Size:64Mbit; Memory Configuration:4M x 16bit; Supply Voltage Min:2.3V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:TSOP; No. of Pins:56; Clock Frequency:40MHz; Access ;RoHS Compliant: Yes JS28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ JS28F640P30TF75A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MICJS28F640P30TF75A 64MB NOR FLASH MEMOR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP JS-36A JS-3M JS-40 JS-40W JS-45 JS-48 JS48F4400P0TB00A JS48F4400P0VB00A JS-4-B-M200 JS-5 JS-52 JS5208 JS-52S JS-52W JS-54 JS-56 JS5698 JS-6