收藏本站
参数资料
型号： JAN1N4976C
厂商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
中文描述： 56 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件页数： 2/4页
文件大小： 607K
代理商： JAN1N4976C
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
5 WATT GLASS ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
1N4954 thru 1N4996, 1N5968 thru 1N5969, and
1N6632 thru 1N6637
W
M
.
C
1
1
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25
o
C
TYPE*
MAXIMUM ZENER
IMPEDANCE
Z
Z
@
I
ZT
OHMS
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
VOLTAGE
I
R
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
V
Z
@
I
ZT
VOLTS
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
TEST
CURRENT
I
ZT
mA
380
350
320
290
260
240
Z
ZK
*
@
I
ZK
=1mA
OHMS
500
500
500
500
450
400
VOLTAGE
REGULATION
(Note 1)
V
Z
VOLTS
0.90
0.80
0.75
0.70
0.60
0.50
V
R
MAXIMUM
TEMPERATURE
COEFF.
α
VZ
@
I
ZT
%/
o
C
-.075
-.070
-.060
-.050
+/-.025
+/-.030
MAXIMUM
CONTINUOUS
CURRENT
I
ZM
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
SURGE
CURRENT
I
ZSM
AMPS
20.0
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
μ
A
300
250
175
25
20
5
VOLTS
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1N6632
1N6633
1N6634
1N6635
1N6636
1N6637
1N5968
1N5969
1N4954
1N4955
1N4956
1N4957
1N4958
1N4959
1N4960
1N4961
1N4962
1N4963
1N4964
1N4965
1N4966
1N4967
1N4968
1N4969
1N4970
1N4971
1N4972
1N4973
1N4974
1N4975
1N4976
1N4977
1N4978
1N4979
1N4980
1N4981
1N4982
1N4983
1N4984
1N4985
1N4986
1N4987
1N4988
1N4989
1N4990
1N4991
1N4992
1N4993
1N4994
1N4995
1N4996
*I
ZK
= 5 mA for 1N5968
NOTE 1: Maximum voltage change
V
Z
between 10% of I
ZM
and 50%
of I
ZM
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
220
220
175
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8
8
5
5
5
5
5
4
4
3
3
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.5
2.5
3.0
3.5
3.5
4.0
4.5
5.0
5.0
6.0
8
10
11
14
20
25
27
35
42
50
55
80
90
110
125
170
190
330
350
450
500
550
650
800
950
1175
1400
1800
400
1000
1000
800
600
400
125
130
140
145
150
155
160
165
170
175
180
190
200
220
230
240
250
270
320
400
500
620
720
760
800
1000
1150
1250
1500
1650
1750
1850
2000
2050
2100
2150
2200
2300
2500
0.4
0.5
0.7
0.7
0.7
0.7
0.8
0.8
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.5
1.8
2.0
2.0
2.5
2.8
3.0
3.0
3.3
3.5
4.0
4.4
5.0
5.5
6.0
6.6
7.5
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
19
22
25
28
32
35
40
5000
1000
150
100
50
25
25
10
10
10
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
4.28
4.74
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152
167
182
206
228
251
274
297
.04
.04
.05
.06
.06
.06
.07
.07
.07
.08
.08
.08
.085
.085
.085
.090
.090
.090
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.105
.105
.105
.110
.110
.115
.115
.120
.120
.120
.120
.120
865
765
700
630
580
520
475
430
395
365
315
294
264
237
216
198
176
158
144
132
122
110
100
92
84
76
70
63.0
58.0
52.5
47.5
43.0
39.5
36.6
31.6
29.4
26.4
23.6
21.6
19.8
17.5
15.6
14.4
13.0
12.0
20
20
29.3
26.4
24
22
20
19
18
16
12
10
9.0
8.0
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.2
3.0
2.8
2.5
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.00
0.80
0.75
0.70
0.60
0.50
0.50
0.40
0.35
0.30
0.25
0.22
0.20
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 2
Copyright
2005
2-4-2005 REV C
相关PDF资料
PDF描述
JAN1N4976CUS Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JAN1N4976D Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JAN1N4976DUS Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JAN1N4977 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JAN1N4977C Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
相关代理商/技术参数
参数描述
JAN1N4976CUS 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1
JAN1N4976D 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1
JAN1N4976DUS 功能描述:Zener Diode 56V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1
JAN1N4976US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 56V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W
JAN1N4977 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 62V 5% 5W 2PIN E - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 62V 5W
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*