JAN1N5518B PDF资料下载(1/4 页)3.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIOD

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JAN1N5518C-1	功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1
JAN1N5518CUR-1	功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:* 标准包装:1
JAN1N5518D-1	功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1

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功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:* 标准包装:1

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型号：	JAN1N5518B
厂商：	MOTOROLA INC
元件分类：	参考电压二极管
英文描述：	3.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
文件页数：	1/4页
文件大小：	108K
代理商：	JAN1N5518B

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