型号: | JAN1N6138A |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 117K |
代理商: | JAN1N6138A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JAN1N6138AUS | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5.2V 电压 - 击穿(最小值):6.46V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):142.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 |
JAN1N6138US | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5.2V 电压 - 击穿(最小值):6.14V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 |
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JAN1N6139A | 制造商:Semtech Corporation 功能描述:T DAP 1500W 7.5V 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 5.7V 1.5KW 2PIN G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 5.7VWM CPKG AXIAL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 1500W C-PKG AXIAL |
JAN1N6139AUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |