型号: | JAN1N755AUR-1 |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 25K |
代理商: | JAN1N755AUR-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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JANTX1N756AUR-1 | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
JAN1N4372AUR-1 | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
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JANTXV1N753AUR-1 | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JAN1N755C-1 | 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
JAN1N755CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
JAN1N755D-1 | 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
JAN1N755DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
JAN1N756A | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |