型号: | JANTX1N4956US |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 8.2 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 196K |
代理商: | JANTX1N4956US |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JANTX1N4957 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 9.1V 5% 5W 2-Pin Case E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 9.1V 5% 5W 2PIN E - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Zener Single 9.1V 5% 5W 2-Pin Case E |
JANTX1N4957C | 功能描述:Zener Diode 9.1V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:100 |
JANTX1N4957CUS | 功能描述:Zener Diode 9.1V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:100 |
JANTX1N4957D | 功能描述:Zener Diode 9.1V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:100 |
JANTX1N4957DUS | 功能描述:Zener Diode 9.1V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:100 |