型号: | JANTXV1N4465US |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 10 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 66K |
代理商: | JANTXV1N4465US |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JANTXV1N4466 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 11V 5% 1.5W 2-Pin Case A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 1.5W 2PIN A - Bulk |
JANTXV1N4466C | 功能描述:Zener Diode 11V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 8.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
JANTXV1N4466CUS | 功能描述:Zener Diode 11V 1.5W ±2% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 8.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 |
JANTXV1N4466DUS | 功能描述:Zener Diode 11V 1.5W ±1% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 8.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 |
JANTXV1N4466US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 1.5W 2PIN D-5A - Trays |