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KBPMO-9(H)

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KBPMO-9(H) 技术参数

KBPM201G 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 2A KBPM 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - DC 正向（If）:2A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:1,000 KBPC5010W-G 功能描述:BRIDGE DIODE GPP 50A 1000V KBPC- 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1000V 电流 - DC 正向（If）:50A 安装类型:通孔封装/外壳:4-方形，KBPC-W 供应商器件封装:KBPC-W 标准包装:50 KBPC5010T 功能描述:DIODE BRIDGE 1000V 50A KBPC-T/W 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:1kV 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 25A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:4-方形，KBPC-T 供应商器件封装:KBPC-T 标准包装:50 KBPC5010-G 功能描述:BRIDGE DIODE GPP 50A 1000V KBPC 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:1kV 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 25A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:4-方形，KBPC 供应商器件封装:KBPC 基本零件编号:* 标准包装:50 KBPC5006-G 功能描述:BRIDGE DIODE GPP 50A 600V KBPC 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 25A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:4-方形，KBPC 供应商器件封装:KBPC 基本零件编号:* 标准包装:50 KBS-20DA-7C-105 KBS-20DA-7C-35 KBS-20DA-9A KBS-20DB-2P-0 KBS-20DB-2P-10 KBS-20DB-2P-9 KBS-20DB-4A-22 KBS-20DB-4P-0 KBS-20DB-5A KBS-23DA-4A KBS-27DA-3A KBS-27DA-5A KBS-27DA-5C-105 KBS-27DA-5C-108 KBS-27DA-5C-56 KBS-27DA-5G KBS-27DB-3A KBS-27DB-3T