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参数资料
| 型号： | KSA733CR |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Low Frequency Amplifier |
| 中文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | KSA733CR |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
NF
Noise Figure
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
-60
-50
-5
-150
250
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA. I
B
=0
I
E
= -10
μ
A. I
C
=0
V
CB
= --60V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
V
CE
= -6V, I
C
= -10mA
V
CB
= -10V, I
E
= 0, f=1MHz
V
CE
= -6V, I
C
= -0.3mA
f=1MHz, Rs=10k
Min.
-60
-50
- 5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-100
-100
700
-0.3
-0.80
40
-0.18
-0.62
180
2.8
6.0
V
V
-0.50
50
MHz
pF
dB
20
R
O
Y
G
L
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
350 ~ 700
KSA733
Low Frequency Amplifier
Collector-Base Voltage : V
CBO
= -60V
Complement to KSC945
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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