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L02011R2AHSTR500

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L02011R2AHSTR500
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
138
AVX Corporation
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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L02011R2AHSTR500 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

L02011R2AHSTR500 技术参数

L02011R2AHSTR/500 功能描述:1.2nH Unshielded Thin Film Inductor 300mA 300 mOhm Max 0201 (0603 Metric) 制造商:avx corporation 系列:Accu-L? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:薄膜材料 - 磁芯:无磁性电感:1.2nH 容差:±0.05nH 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:300 毫欧最大不同频率时的 Q 值:7 @ 450MHz 频率 - 自谐振:24GHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:450MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）大小/尺寸:0.024" 长 x 0.013" 宽（0.60mm x 0.33mm）高度 - 安装（最大值）:0.011"（0.28mm）标准包装:1 L02011R0AHSTR\500 功能描述:1nH Unshielded Thin Film Inductor 400mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) 制造商:avx corporation 系列:Accu-L? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:薄膜材料 - 磁芯:无磁性电感:1nH 容差:±0.05nH 额定电流:400mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:200 毫欧最大不同频率时的 Q 值:7 @ 450MHz 频率 - 自谐振:26GHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:450MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）大小/尺寸:0.024" 长 x 0.013" 宽（0.60mm x 0.33mm）高度 - 安装（最大值）:0.011"（0.28mm）标准包装:1 L/C-805DS 功能描述:0805 L-SER CAP & IND (CHIP) KIT 制造商:johanson technology inc. 系列:- 包装:- 零件状态:有效套件类型:设计套件内容:各类标准包装:1 L/C-603DS 功能描述:0603 L-SER CAP & IND (CHIP) KIT 制造商:johanson technology inc. 系列:- 包装:- 零件状态:有效套件类型:设计套件内容:各类标准包装:1 L/C-402DS 功能描述:0402 L-SER CAP & IND (CHIP) KIT 制造商:johanson technology inc. 系列:- 包装:- 零件状态:有效套件类型:设计套件内容:各类标准包装:1 L0201C1N8SRMST L0201C22NJRMST L0201C2N4SRMST L0201C33NJRMST L0201R33AHSTR/500 L0201R39AHSTR/500 L0201R47AHSTR/500 L0201R56AHSTR/500 L0201R68AHSTR/500 L0201R82AHSTR/500 L03 L-03C1N0SV4T L-03C1N2SV4T L-03C1N5SV4T L-03C1N6SV4T L-03C1N8SV4T L-03C1N9SV4T L-03C2N0SV4T