L63DG2L

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L63DG2L
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1116
Visual Communications Com
N/A
17+
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原装正品，授权分销商现货库存

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L63DG2L 技术参数

L6399DTR 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 L6398DTR 功能描述:功率驱动器IC 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6398D 功能描述:功率驱动器IC High Volt 600V Rail Off Line 3.3V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6395DTR 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 L6395D 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:100 L6470PDTR L6472H L6472HTR L6472PD L6472PDTR L6474H L6474HTR L6474PD L6474PDTR L6480H L6480HTR L6482H L6482HTR L6491D L6491DTR L6494L L6494LD L6494LDTR